सियोल, 29 सितंबर (रॉयटर्स) – सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स के एक कार्यकारी ने मंगलवार को कहा कि अगले साल डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (डीआरएएम) चिप निर्माताओं की कुल वेफर क्षमता में हाई-बैंडविड्थ मेमोरी (एचबीएम) की हिस्सेदारी लगभग 30% होने की उम्मीद है, जो वर्तमान में लगभग 20% है।सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स(005930.KS)कार्यकारी उपाध्यक्ष किम ताएवू ने कहा कि एचबीएम और मानक डीआरएएम एक ही वेफर क्षमता के लिए प्रतिस्पर्धा करते हैं, जिसका अर्थ है कि एचबीएम उत्पादन का विस्तार मानक डीआरएएम आपूर्ति को सीमित कर सकता है।एचबीएम कृत्रिम बुद्धिमत्ता कंप्यूटिंग का एक महत्वपूर्ण घटक है, जिसमें लंबवत रूप से स्टैक किए गए मेमोरी चिप्स होते हैं जो प्रोसेसर को उच्च गति पर विशाल मात्रा में डेटा तक पहुंचने की अनुमति देते हैं। इस बाजार में दक्षिण कोरिया की एसके हाइनिक्स(000660.KS) का वर्चस्व है।और सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स, साथ ही अमेरिका स्थित माइक्रोन टेक्नोलॉजी(एमयू.ओ.)
हीकयोंग यांग की रिपोर्ट
